chenken168

本篇將介紹電路架構、測量、搭配、聽感，首先先看電路，電路是很簡潔的說！

電源電路，採用橋式整流後加上 C L C 濾波，以低漣波值為主要目的！

 

放大電路，輸入端經由  I P T 放大後推動 MOSFET，

I P T 在此主要是隔離開輸入端與 MOSFET 放大端，

它還可依據鐵芯的選用來調音，也可配合各種前級來設計不同的電壓比或是阻抗比！ 

 

MOSFET 需要偏壓來設定工作電流，

電路上使用一顆 10K ohm 電阻配合簡單的並聯穩壓電路，

即可調整工作電流，玩家也可以選用喜愛的三端子穩壓來完成，依據個人喜好來搭配！

本機的頻響特性：

CH1，黃色線是輸出端 8 ohm 負載上的波形！

CH3，粉紅色線是輸入端 IPT 一次測的波形！

輸入是採用 600 ohm 輸出阻抗的信號產生器！

方波響應：

100HZ 方波

 

1KHZ 方波 

  

10KHZ 方波

  

從上面的方波響應看來，高頻響應 -3DB 點是超過 100KHZ以上的，

低頻響應較差些，主因是我設計的 IPT 不適合用信號產生器來推，

這部信號產生器的輸出阻抗有 600  ohm，將造成〝匹配不良〞使得低頻響應較差！

這顆 IPT 是設計給輸出阻抗低的前級來推，通常前級的輸出端有 Buffer 電路，

都可以推好這顆 IPT 變壓器的，我就是使用先前做的這部軍規 IC 前級來推動，

效果是十分良好！

( http://blog.xuite.net/chenken168/blog1/31897226 )

請看加上前級後的方波響應：

100HZ 方波，這響應變好了，因為前級可以推好 IPT！

 

1KHZ 方波

 

10KHZ 方波

 

20KHZ 方波

 

後級搭配不同前級，就會有不同的聲音表現，這與輸出阻抗也或多或少有關，

因為這樣會有不同的頻率響應，我們再來看看輸出 50 ohm 阻抗的信號產生器，

推這後級的方波響應：

100HZ 方波

 

1KHZ 方波 

 

10KHZ 方波

 

不同的信源阻抗，方波響應不同，聲音也就不同，這邏輯應是說的通的！

這裡我無法說哪一種比較好，若依據方波響應來要求，

當然是越工整越好，越是工整也就表示頻寬越寬，有時聽感卻不見得更好或討喜！

但規格越好的機器通常是價格越高。 

在此另外延伸一話題，當您看到有 IPT當輸入的電路，

若 IPT 的一次側有加入音量 VR，這樣的架構，我可以與您說，不用試了，

信號經過 VR 衰減再推 IPT，那是無法推好 IPT 的，

其響應將會很差，且 VR 在不同位置，響應也不同，這樣是不會有好聲的！

關於本機用的 IPT 與 OPT，單獨測量的頻響都很好，

都可以有 100KHZ/-3DB 以內的響應，IPT 的選用可依據個人需求，

5：1、2.5：1、1：1 等等都是可以的，1：1 可有最好的響應規格，升壓越大，

頻率響應也會越差，原則建議選用 10：1 以內的規格，

不同的鐵芯材料有不同的聲音特質，可當調音的手段，玩家可自已決定。

工作條件：

從上面的電路中可以看到電路的各點電壓與工作條件，

我在此在補述一下，電源需要低的漣波值，才可以避免喇吧聽到亨聲，

所以我加入 CHOKE 來增加濾波能力，120HZ 漣波從 141mv 降至 4mv，

直流供應電壓約是 28.7vdc，因為散熱片不夠大的關係，

mosfet 的偏流我只上到 0.8a 左右，由於是單顆 mosfet，

我又採用單獨的偏壓電路，因此不需要做晶體的配對，

這樣讓備料容易多了！偏流的問題，當散熱片加大時，

可上至 1a - 1.3a 之間，目前 0.8a的偏流下，散熱片的溫度已在 50度以上了，

晶體本體的溫度更高，散熱是需要注意的！

考量安全因素，所以我才會設計輸入有 IPT；輸出有 OPT，隔離開 MOSFET，

這樣即使 MOSFET 崩潰擊穿，都可以保護到前端的前級設備與昂貴的喇吧。

本機輸出大於 6w 是可以用來推一些有分音器的喇吧，推全音域喇吧，那更是輕鬆。

本機輸入端開路下，超過 100DB/1W 的 ALTEC 920-8B 喇吧，完全聽不到嘶哼聲喔 ！ 

聽感：

整體聽感很平衡，我就嫌一點，即高頻泛音不如管機，

我以兩喇吧來試聽，即 DZ ONE CLONE 與 ALTEC 920-8B 來比較，

這部單端 MOSFET 小後級都推的比小管機好，

推的好的定義指的是低頻段的推力、層次、量感、速度感，

但在高頻泛音上，我覺得小管機較佳！

在真空管越來越貴的趨勢下，試試這種單端 MOSFET 是很值的！

有機會再與網兄借其他晶體機來比試差異。